收藏本站
Si7846DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.10
0.08
0.06
V GS = 10 V
3000
2500
2000
1500
C iss
0.04
1000
0.02
0.00
500
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
30
60
90
120
150
20
16
12
8
4
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 75 V
I D = 5 A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 5 A
0
15
30
45
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.15
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.12
I D = 5 A
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.09
0.06
0.03
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71442
S09-0537-Rev. F, 06-Apr-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7848BDP-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
SI7868ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
SI7872DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI7898DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC
SI7904BDN-T1-GE3 MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8
SI7905DN-T1-E3 MOSFET DUAL P-CH D-S 40V 1212-8
SI7913DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
SI7922DN-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8
相关代理商/技术参数
SI7848BDP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7848BDP-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 47A 36W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7848BDP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 47A 36W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7848BDP-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 40V 47A SOIC
SI7848DP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8
SI7848DP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 ((NS))
SI7848DP-T1 功能描述:MOSFET 40V 17A 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7848DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 17A 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube